ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPB160N04S4H1ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 160 А, 40 В, 0.0014 Ом, 10 В, 3 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPB160N04S4H1ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 160 А, 40 В, 0.0014 Ом, 1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPB160N04S4H1ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 160 А, 40 В, 0.0014 Ом, 10 В, 3 В
Последняя цена
240 руб.
Сравнить
Описание
Силовые полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ T2
Infineon, № 146, новый OptiMOS ™ -T2 включает ряд энергоэффективных полевых МОП-транзисторов с сокращением выбросов CO2 и электрическими приводами. Новое семейство продуктов OptiMOS ™ -T2 расширяет существующие семейства OptiMOS ™ -T и OptiMOS ™. Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPB160N04S4H1ATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1810334
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
0.3
Максимальный непрерывный ток стока
160 A
Максимальное рассеяние мощности
167 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
9.25мм
Высота
4.4мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1.6 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
1.3V
Длина
10мм
Серия
OptiMOS T2
Типичное время задержки выключения
29 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10 x 9.25 x 4.4мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
28 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
7
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
105 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
8400 pF @ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet IPB160N04S4H1ATMA1 , pdf
, 123 КБ