Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IPA60R160C6
IPA60R160C6
Производитель: Infineon Technologies

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 600V 23.8A TO220FP-3 CoolMOS…

STW20N95DK5, Trans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW20N95DK5, Trans MOSFET N-CH 950V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель: ST Microelectronics, STW20N95DK5

2N7000
Производитель: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

IRFS3006TRL7PP, транзистор Nкан 60В 293А D2Pak7 (IRFS3006-7PPBF)
IRFS3006TRL7PP, транзистор Nкан 60В 293А D2Pak7 (IRFS3006-7PPBF)
Производитель: Infineon Technologies, IRFS3006TRL7PP
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 240
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 375
Корпус D2Pak7

FDC6561AN
FDC6561AN
Производитель: ON Semiconductor

STB18NM60ND, Транзистор
STB18NM60ND, Транзистор
Производитель: ST Microelectronics, STB18NM60ND

FDB088N08, Транзистор
FDB088N08, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDB088N08

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

IPD042P03L3GATMA1, МОП-транзистор, AEC-Q101, P Канал, -70 А, -30 В, 0.0035 Ом, -10 В, -1.5 В
IPD042P03L3GATMA1, МОП-транзистор, AEC-Q101, P Канал, -70 А, -30 В, 0.0035 Ом, -10 В, -1.5 В
Производитель: Infineon Technologies, IPD042P03L3GATMA1

Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS ™ Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS…

IPD25N06S4L30ATMA2, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 60 В, 0.023 Ом, 10 В, 1.7 В
IPD25N06S4L30ATMA2, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 60 В, 0.023 Ом, 10 В, 1.7 В
Производитель: Infineon Technologies, IPD25N06S4L30ATMA2