ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDC6561AN - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDC6561AN
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDC6561AN
Последняя цена
23 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1835221
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.15
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 A
Максимальное рассеяние мощности
960 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.7мм
Высота
1мм
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
152 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
3мм
Серия
PowerTrench
Типичное время задержки выключения
12 нс
Тип корпуса
SOT-23
Размеры
3 x 1.7 x 1мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
6 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
2,3 нКл при 5 В
Типичная входная емкость при Vds
220 pF @ 15 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet FDC6561AN , pdf
, 258 КБ