STB18NM60ND, Транзистор, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB18NM60ND

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1819845

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

8.95мм

Высота

4.4мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

290 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10мм

Серия

FDmesh

Типичное время задержки выключения

13 ns

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10 x 8.95 x 4.4мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

55 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1030 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

STB18NM60ND, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.