ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDB088N08, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDB088N08, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDB088N08, Транзистор
Последняя цена
310 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDB088N08
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819844
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Высота
4.83mm
Transistor Material
Кремний
Length
10.67мм
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
91 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Серия
PowerTrench
Transistor Configuration
Одинарный
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
120 А
Maximum Power Dissipation
160 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
11.33mm
Maximum Drain Source Resistance
8.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet FDB088N08 , pdf
, 667 КБ
Datasheet , pdf
, 453 КБ
