IPD042P03L3GATMA1, МОП-транзистор, AEC-Q101, P Канал, -70 А, -30 В, 0.0035 Ом, -10 В, -1.5 В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 420 руб.

Сравнить

Описание

Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS ™
Силовые полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon OptiMOS ™ разработаны для обеспечения расширенных функций и качественных характеристик. Характеристики включают сверхнизкие коммутационные потери, сопротивление в открытом состоянии, лавинные характеристики, а также квалификацию AEC для автомобильных решений. Применения включают DC-DC, управление двигателями, автомобилестроение и eMobility.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD042P03L3GATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1819843

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

150Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-30В

Непрерывный Ток Стока

-70А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0035Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

-10В

Пороговое Напряжение Vgs

-1.5В

Вес, г

0.426

Техническая документация

Datasheet IPD042P03L3GATMA1 , pdf , 604 КБ
Datasheet IPD042P03L3GATMA1 , pdf , 663 КБ

IPD042P03L3GATMA1, МОП-транзистор, AEC-Q101, P Канал, -70 А, -30 В, 0.0035 Ом, -10 В, -1.5 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 420 руб.

Техническая документация