FDD6612A, N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, от 20 А до 59,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ONSEMI

Артикул

FDD6612A

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1229903

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

36Вт

Полярность Транзистора

N Channel

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

30а

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.033Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2В

Вес, г

0.482

Package Type

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

6.73мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Pin Count

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Серия

PowerTrench

Minimum Gate Threshold Voltage

Типичный заряд затвора при Vgs

6,7 нКл при 5 В

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Power Dissipation

36 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

6.22мм

Height

2.39мм

Maximum Drain Source Resistance

33 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Техническая документация

Datasheet FDD6612A , pdf , 341 КБ

FDD6612A, N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252 - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация