FDB3632, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБ

Корпус TO263

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1229842

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

1.963

Максимальный непрерывный ток стока

12 А

Максимальное рассеяние мощности

310 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Series

PowerTrenchВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

9 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

FDB363 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

12A (Ta), 80A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Power Dissipation (Max)

310W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 80A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

DВІPAK

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

80 A

Pd - рассеивание мощности

310 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

39 ns

Время спада

46 ns

Длина

10.67мм

Другие названия товара №

FDB3632_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

800

Серия

PowerTrench

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

96 ns

Типичное время задержки при включении

30 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-263-3

Тип

MOSFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

30 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

84 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

6000 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 863 КБ
Datasheet FDB3632 , pdf , 927 КБ
Datasheet FDB3632 , pdf , 915 КБ

FDB3632 - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация