ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN]
Последняя цена
510 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 500V 28A N-Channel
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDA28N50F
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1229820
Технические параметры
Вес, г
6.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
28
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.175 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
310
Крутизна характеристики, S
35
Корпус
TO-3PN
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
FDA28N50F , pdf
, 1530 КБ
Datasheet FDA28N50F , pdf
, 1525 КБ
Datasheet , pdf
, 610 КБ