ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FF6MR12W2M1B70BPSA1, МОП-транзистор, N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.00563 Ом, 15 В, 4.5 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FF6MR12W2M1B70BPSA1, МОП-транзистор, N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.00563 О…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FF6MR12W2M1B70BPSA1, МОП-транзистор, N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.00563 Ом, 15 В, 4.5 В
Последняя цена
49690 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FF6MR12W2M1B70BPSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1230467
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
1.2кВ
Непрерывный Ток Стока
200А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.00563Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
15В
Пороговое Напряжение Vgs
4.5В
Вес, г
5.42
Линейка Продукции
CoolSiC Trench Series
Техническая документация
Datasheet FF6MR12W2M1B70BPSA1 , pdf
, 531 КБ