FF6MR12KM1BOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 250 А, 1.2 кВ, 0.00581 Ом, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FF6MR12KM1BOSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1230465

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

250А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.00581Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Вес, г

MOSFET Configuration

Half Bridge

Линейка Продукции

CoolSiC C Series

FF6MR12KM1BOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 250 А, 1.2 кВ, 0.00581 Ом, Module - характеристики, поставщики