FF6MR12W2M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.00563 Ом, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 45630 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FF6MR12W2M1PB11BPSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1230468

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

200А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.00563Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Вес, г

MOSFET Configuration

Half Bridge

Линейка Продукции

EasyDUAL CoolSiC Series

Base Product Number

FF6MR12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Package

Tray

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Другие названия товара №

FF6MR12W2M1P_B11 SP004134434

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным зат

Коммерческое обозначение

CoolSic ~ EasyDUAL ~ PressFIT

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Серия

CoolSiC Mosfet

Тип продукта

IGBT Modules

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tray

Техническая документация

Datasheet FF6MR12W2M1PB11BPSA1 , pdf , 463 КБ
Datasheet FF6MR12W2M1PB11BPSA1 , pdf , 440 КБ

FF6MR12W2M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.00563 Ом, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 45630 руб.

Техническая документация