FF11MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 100 А, 1.2 кВ, 0.0113 Ом, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 23080 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules

Дискретные полупроводниковые модули LOW POWER EASY

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FF11MR12W1M1PB11BPSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1230422

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

100А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0113Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Вес, г

MOSFET Configuration

Half Bridge

Линейка Продукции

EasyDUAL CoolSiC Series

Series

EasyDUALв„ў ->

Base Product Number

FF11MR12 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Tj)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

248nC @ 15V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7360pF @ 800V

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

Module

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.3mOhm @ 100A, 15V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

AG-EASY1B-2

Vgs(th) (Max) @ Id

5.55V @ 40mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Power - Max

20mW

Другие названия товара №

FF11MR12W1M1P_B11 SP005035982

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Коммерческое обозначение

CoolSiC ~ EasyDUAL ~ PressFIT

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

CoolSiC Module

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tray

Техническая документация

Datasheet FF11MR12W1M1PB11BPSA1 , pdf , 423 КБ
Datasheet FF11MR12W1M1PB11BPSA1 , pdf , 453 КБ

FF11MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 100 А, 1.2 кВ, 0.0113 Ом, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 23080 руб.

Техническая документация