ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW18N60DM2 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
STMicroelectronics
STW18N60DM2
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STW18N60DM2
Последняя цена
470 руб.
Сравнить
Описание
N-канал 600V 12A (Tc) 90W (Tc) сквозное отверстие TO-247
Информация
Производитель
STMicroelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741623
Технические параметры
Series
MDmeshв„ў DM2 ->
Base Product Number
STW18 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
295mOhm @ 6A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Техническая документация
Datasheet STW18N60DM2 , pdf
, 268 КБ
Datasheet STW18N60DM2 , pdf
, 439 КБ
