STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом, 4A [SO-8], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 35 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 4 А; Rси(вкл): 55 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 15 нКл
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 55 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STS4DNF60L

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1741811

Технические параметры

Вес, г

0.15

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.055 Ом/2А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

Крутизна характеристики, S

Корпус

soic-8

Пороговое напряжение на затворе

1…2.5

Техническая документация

STS4DNF60L , pdf , 591 КБ

STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом, 4A [SO-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 35 руб.

Техническая документация