ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FCA47N60F транзистор, N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FCA47N60F транзистор, N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FCA47N60F транзистор, N-Channel MOSFET, 47 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN
Последняя цена
960 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные полевые МОП-транзисторы SuperFET® и SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild добавила семейство высоковольтных полевых МОП-транзисторов SuperFET® II с использованием технологии Super Junction. Он обеспечивает лучшую в своем классе производительность корпусных диодов в импульсных источниках питания переменного и постоянного тока (SMPS), таких как серверы, телекоммуникации, вычислительная техника, промышленные источники питания, ИБП / ESS, солнечные инверторы, осветительные приборы, которые требуют высокой плотности мощности. , эффективность и надежность системы.
Используя передовую технологию балансировки заряда, разработчики достигают более эффективных, экономичных и высокопроизводительных решений, которые занимают меньше места на плате и повышают надежность.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FCA47N60F транзистор
P/N
FCA47N60F
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741683
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное рассеяние мощности
417 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5мм
Высота
20.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
73 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
16.2мм
Серия
SuperFET
Типичное время задержки выключения
520 нс
Тип корпуса
TO-3PN
Размеры
16.2 x 5 x 20.1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
185 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
210 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
5900 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet FCA47N60F , pdf
, 1598 КБ
Datasheet FCA47N60F , pdf
, 1809 КБ