ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3]
Последняя цена
21 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD
Корпус TO236
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDN306P
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1742195
Технические параметры
Вес, г
0.041
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.04 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.5
Крутизна характеристики, S
10
Корпус
SuperSOT-3/SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе
-0.4…-1.5
Особенности
мобильные приложения
Техническая документация
fdn306p , pdf
, 147 КБ
Datasheet FDN306P , pdf
, 260 КБ
Datasheet , pdf
, 244 КБ