ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AP9930GM, Транзистор, 2N+ 2P-канал, 30В, 5.5/-4.1A, 33/55мОм [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Advanced Power Electronics
AP9930GM, Транзистор, 2N+ 2P-канал, 30В, 5.5/-4.1A, 33/55мОм [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AP9930GM, Транзистор, 2N+ 2P-канал, 30В, 5.5/-4.1A, 33/55мОм [SO-8]
Последняя цена
65 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Advanced Power Electronics
Артикул
AP9930GM
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1742334
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
2n/2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
5.5/4.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.033 Ом/6.3А, 10В/0.055 Ом/5.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.38
Крутизна характеристики, S
5.2/4.8
Корпус
soic-8
Техническая документация
AP9930GM(2N and 2P) , pdf
, 97 КБ