2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

2N7002

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1749074

Технические параметры

Вес, г

0.05

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

0.12

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

7.5 Ом/0.5А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

0.35

Крутизна характеристики, S

Корпус

SOT-23-3

Техническая документация

Datasheet , pdf , 285 КБ
2N7002 datasheet , pdf , 138 КБ
Datasheet , pdf , 437 КБ

2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23] - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация