ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]
Последняя цена
9 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 60 до 90 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
2N7002K-T1-GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1749080
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
2 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.35
Корпус
SOT-23-3
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
2n7002k , pdf
, 218 КБ
Datasheet 2N7002K-T1-GE3 , pdf
, 218 КБ
Datasheet 2N7002K-T1-GE3 , pdf
, 1058 КБ
Datasheet 2N7002K-T1-GE3 , pdf
, 206 КБ
Datasheet , pdf
, 218 КБ