ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSS84,215, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BSS84,215, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSS84,215, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23]
Последняя цена
9 руб.
Сравнить
Описание
low rDS(on) Small-Signal MOSFETs Field Effect Transistors
Корпус TO236
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BSS84,215
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1759807
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
0.13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
10 Ом/0.1А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.36
Крутизна характеристики, S
270
Корпус
SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе
-2
Техническая документация
BSS84 datasheet , pdf
, 94 КБ
Datasheet , pdf
, 71 КБ
Datasheet BSS84,215 , pdf
, 188 КБ