BSS169H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100В 170мА [SOT-23-3], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 13 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS169H6327XTSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1759804

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.05

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

12 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Опускание

Тип канала

Длина

2.9мм

Серия

SIPMOS

Типичное время задержки выключения

11 ns

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

2,9 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.9V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

0,12 нКл при 7 В

Типичная входная емкость при Vds

51 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 139 КБ
BSS169H6327XTSA1 , pdf , 398 КБ
Datasheet BSS169H6327XTSA1 , pdf , 413 КБ
Datasheet BSS169H6327XTSA1 , pdf , 397 КБ

BSS169H6327XTSA1, Транзистор MOSFET N-CH 100В 170мА [SOT-23-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 13 руб.

Техническая документация