ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
CSD25483F4T, МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -20 В, 0.175 Ом, -8 В, -950 мВ [PicoStar] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Texas Instruments
CSD25483F4T, МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -20 В, 0.175 Ом, -8 В, -…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
CSD25483F4T, МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -20 В, 0.175 Ом, -8 В, -950 мВ [PicoStar]
Последняя цена
62 руб.
Сравнить
Описание
P-Channel FemtoFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments
Информация
Производитель
Texas Instruments
Артикул
CSD25483F4T
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1761601
Технические параметры
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
1.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.205 Ом/0.5А, 8В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
0.5
Крутизна характеристики, S
1.4
Корпус
PicoStar-3
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1455 КБ