DMN3190LDW-7, Транзистор MOSFET 2N-CH 30В 1A [SOT-363], Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 18 руб.

Сравнить

Описание

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMN3190LDW-7

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1762941

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.1

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 A

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.35мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

335 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

2.2мм

Типичное время задержки выключения

30,3 нс

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

4.5 ns

Производитель

DiodesZetex

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

87 пФ при 20 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

DMN3190LDW , pdf , 256 КБ

DMN3190LDW-7, Транзистор MOSFET 2N-CH 30В 1A [SOT-363] - характеристики, поставщики

Последняя цена 18 руб.

Техническая документация