CSD87312Q3E, Транзистор MOSFET 2N-CH 30V 27A [VSON-8 (3.3x3.3)], Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 166 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор Dual 30V N-CH NexFET Pwr МОП-транзисторs

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD87312Q3E

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1761602

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.03

Ширина

3.3 mm

Высота

1 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

27 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Qg - заряд затвора

6.3 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

33 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

8 V, + 8 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

16 ns

Время спада

2.9 ns

Длина

3.3 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

39 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

CSD87312Q3E

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

17 ns

Типичное время задержки при включении

7.8 ns

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

VSON-8

Техническая документация

csd87312q3e , pdf , 816 КБ
Datasheet , pdf , 816 КБ

CSD87312Q3E, Транзистор MOSFET 2N-CH 30V 27A [VSON-8 (3.3x3.3)] - характеристики, поставщики

Последняя цена 166 руб.

Техническая документация