ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3
Последняя цена
560 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 75V N-Channel PowerTrench
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDP047N08
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1766098
Технические параметры
Вес, г
1.8
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
164
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0047 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
268
Крутизна характеристики, S
150
Корпус
to-220
Пороговое напряжение на затворе
2.5…4.5
Техническая документация
FDP047N08 , pdf
, 527 КБ
Datasheet FDP047N08 , pdf
, 703 КБ
Datasheet FDP047N08 , pdf
, 701 КБ