IRF7329TRPBF, Транзистор HEXFET 2P-канала 12B 9.2A [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 52 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, DUAL P CH, -12V, -9.2A, SOIC-8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 17 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7329TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772734

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

9,2 A

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

30 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

12 В перем. тока/пост. тока

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

340 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

38 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

3450 пФ при -10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Техническая документация

IRF7329PBF Datasheet , pdf , 174 КБ

IRF7329TRPBF, Транзистор HEXFET 2P-канала 12B 9.2A [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 52 руб.

Техническая документация