ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7606TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3.6А [Micro-8] (IRF7606PBF) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7606TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3.6А [Micro-8] (IRF7606PBF)
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7606TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3.6А [Micro-8] (IRF7606PBF)
Последняя цена
40 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET: P, -30 В, Q1: P, 90mΩ / 10V, -3.6 А
Корпус MICRO8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 90 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7606TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772796
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.09 Ом/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.8
Крутизна характеристики, S
2.3
Корпус
Micro-8/MSOP-8
Пороговое напряжение на затворе
-1
Техническая документация
IRF7606 datasheet , pdf
, 103 КБ
Datasheet IRF7606TRPBF , pdf
, 184 КБ