IRF7493TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 9.2А [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 70 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF7493TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772791

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

9,3 A

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

15 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.3V

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

30 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

8,3 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

35 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1510 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

13S

Техническая документация

IRF7493PBF Datasheet , pdf , 160 КБ
irf7493pbf , pdf , 162 КБ

IRF7493TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 9.2А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 70 руб.

Техническая документация