ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7809AVTRPBF, Nкан 30В 13.3А SO8 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7809AVTRPBF, Nкан 30В 13.3А SO8
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7809AVTRPBF, Nкан 30В 13.3А SO8
Последняя цена
145 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF7809AVTRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772798
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Length
5мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Series
IRF7809AV
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
41 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Maximum Gate Source Voltage
±12 В
Тип корпуса
SO
Maximum Continuous Drain Current
14,6 А
Channel Type
N
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Forward Diode Voltage
1.3V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 594 КБ