IRFB3206PBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 120А [TO-220AB], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 136 руб.

Сравнить

Описание

MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 60V; Current, Id Cont: 210A; Resistance, Rds On: 0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: TO-220AB; Termination Type: Through Hole; Base Number: 3206; Charge, Gate N-channel: 120nC; Current, Idm Pulse: 840A; Pins, No. of: 3; Power Dissipation: 300mW; Power, Pd: 300W; Voltage, Vds Max: 60V; Voltage, Vgs th Max: 4V; Voltage, Vgs th Min: 2V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFB3206PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1772889

Технические параметры

Вес, г

2.5

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

210

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)

0.003 Ом/75А, 10В

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

300

Крутизна характеристики, S

210

Корпус

TO-220AB

Пороговое напряжение на затворе

2…4

Техническая документация

IRFS3206PBF Datasheet , pdf , 443 КБ
Datasheet IRF/B/S/SL3206PBF , pdf , 324 КБ

IRFB3206PBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 120А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 136 руб.

Техническая документация