Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

IRFB7446PBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 40В 123А [TO-220АB]

Производитель: Infineon Technologies, IRFB7446PBF

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	123
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0033 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	99
Крутизна характеристики, S	269
Корпус	TO-220AB

StrongIRFET ™ Power MOSFET, Infineon Семейство StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низк…

Сравнить

IRFB7440PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канал 40В 120А 2.5мОм [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRFB7440PBF

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0025 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	208
Крутизна характеристики, S	88
Корпус	TO-220AB

IRFB7440PBF - это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, обеспечивающий улучшенную стойкость к затвору, лавинной и ди…

Сравнить

IRFB7437PBF, StrongIRFET N-канал 40В 195А 2.0мОм, [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRFB7437PBF

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	195
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.002 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	230
Крутизна характеристики, S	160
Корпус	TO-220AB

StrongIRFET ™ Power MOSFET, Infineon Семейство StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низк…

Сравнить

IRFB7434PBF, StrongIRFET N-канал 40В 195А 1.6мОм TO220AB

Производитель: International Rectifier, IRFB7434PBF

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	195
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0016 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	294
Крутизна характеристики, S	211
Корпус	TO-220AB

StrongIRFET ™ Power MOSFET, Infineon Семейство StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низк…

Сравнить

IRFB7430PBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 40В 409А [TO-220АB]

Производитель: Infineon Technologies, IRFB7430PBF

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	195
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0013 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	375
Крутизна характеристики, S	150
Корпус	TO-220AB

StrongIRFET ™ Power MOSFET, Infineon Семейство StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низк…

Сравнить

IRFB61N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [TO-220AB]

Производитель: International Rectifier, IRFB61N15DPBF

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.032 Ом/36А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	330
Крутизна характеристики, S	22
Корпус	TO-220AB

Сравнить

IRFB52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRFB52N15DPBF

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.032 Ом/36А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	320
Крутизна характеристики, S	19
Корпус	TO-220AB

MOSFET, N, 150V, 60A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 150V Current, Id Cont 60A Resistance, Rds On 0.032ohm Vol…

Сравнить

IRFB5615PBF, Транзистор DIGITAL AUDIO MOSFET, N-канал 150В 35А [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRFB5615PBF

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.039 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	144
Крутизна характеристики, S	35
Корпус	TO-220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

Сравнить

IRFB4710PBF, Транзистор, N-канал 100В 75А [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRFB4710PBF

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.014 Ом/45А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	35
Корпус	TO-220AB

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тр…

Сравнить

IRFB4620PBF, Транзистор N-канал 200В 25А [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRFB4620PBF

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0725 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	144
Крутизна характеристики, S	37
Корпус	TO-220AB

Cерия HEXFET полевых транзисторов на напряжения 150 и 200 В производства компании International Rectifier обладает ультра низким зарядом затвора…

Сравнить