ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFBE20PBF, Транзистор, N-канал 800В 1.8А [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFBE20PBF, Транзистор, N-канал 800В 1.8А [TO-220AB]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFBE20PBF, Транзистор, N-канал 800В 1.8А [TO-220AB]
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFBE20PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772948
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
1.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
6.5 Ом/1.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
54
Крутизна характеристики, S
0.8
Корпус
TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе
4
Техническая документация
IRFBE20 datasheet , pdf
, 172 КБ
Datasheet IRFBE20PBF , pdf
, 1023 КБ
Datasheet IRFBE20PBF , pdf
, 1146 КБ
Datasheet IRFBE20PBF , pdf
, 250 КБ