EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

IRFR210PBF, Транзистор MOSFET N-канал 200В 2.6А [D-PAK]
IRFR210PBF, Транзистор MOSFET N-канал 200В 2.6А [D-PAK]
Производитель: Vishay, IRFR210PBF

• Динамический рейтинг dV / dt • Простота параллельного подключения • Монтаж на поверхности • Рейтинг повторяющихся лавин …

IRFR1N60APBF, Транзистор MOSFET N-CH 600V 1.4A [D-PAK]
IRFR1N60APBF, Транзистор MOSFET N-CH 600V 1.4A [D-PAK]
Производитель: Vishay, IRFR1N60APBF

IRFR18N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 18А [D-PAK]
IRFR18N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 18А [D-PAK]
Производитель: International Rectifier, IRFR18N15DPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.125 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики, S 4.2
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

IRFR15N20DTRPBF
IRFR15N20DTRPBF
Производитель: Infineon Technologies

N-CH 200V 17A 165mOhm TO252 Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C…

IRFR15N20DPBF, Nкан 200В 17A D-Pak
IRFR15N20DPBF, Nкан 200В 17A D-Pak
Производитель: International Rectifier, IRFR15N20DPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.165 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Крутизна характеристики, S 4
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

IRFR13N20DPBF, MOSFET N-канал 200В 14А [D-PAK]
IRFR13N20DPBF, MOSFET N-канал 200В 14А [D-PAK]
Производитель: International Rectifier, IRFR13N20DPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.235 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики, S 6.2
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

IRFR13N15DTRPBF, MOSFET N-канал 150В 14А DPak
IRFR13N15DTRPBF, MOSFET N-канал 150В 14А DPak
Производитель: International Rectifier, IRFR13N15DTRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.18 Ом/8.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 86
Крутизна характеристики, S 5
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

Производитель: Infineon Категория продукта: МОП-транзистор RoHS: Подробности Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок…

IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм, [TO-252-3]
IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм, [TO-252-3]
Производитель: International Rectifier, IRFR120ZPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 Ом/5.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 16
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

IRFR120NTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 9.4А [D-PAK]
IRFR120NTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 9.4А [D-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRFR120NTRLPBF

IRFR120NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.4А [D-PAK]
IRFR120NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.4А [D-PAK]
Производитель: International Rectifier, IRFR120NPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.21 Ом/5.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 48
Крутизна характеристики, S 2.7
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 9.1A Resistance, Rds On 0.21ohm Vol…