ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR15N20DTRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR15N20DTRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR15N20DTRPBF
Последняя цена
217 руб.
Сравнить
Описание
N-CH 200V 17A 165mOhm TO252
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 165 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773116
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
140Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
200В
Непрерывный Ток Стока
17А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.165Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
5.5В
Вес, г
0.426
Линейка Продукции
HEXFET Series
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 226 КБ