ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм, [TO-252-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм, [TO-252-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR120ZPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А 26мОм, [TO-252-3]
Последняя цена
32 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRFR120ZPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773112
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
8.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.19 Ом/5.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
35
Крутизна характеристики, S
16
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
Datasheet IRFR120Z, IRFU120Z , pdf
, 319 КБ