Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRFR1205TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 44А [D-PAK]
IRFR1205TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 44А [D-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRFR1205TRPBF

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 44…

IRFR1205PBF, Транзистор, N-канал 55В 37А [D-PAK]
IRFR1205PBF, Транзистор, N-канал 55В 37А [D-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRFR1205PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 44
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.027 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 107
Крутизна характеристики, S 17
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

MOSFET, N, 55V, 37A, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 37A Resistance, Rds On 0.02ohm Voltage…

IRFR120PBF, Транзистор, N-канал 100В 9.4А [D-PAK]
IRFR120PBF, Транзистор, N-канал 100В 9.4А [D-PAK]
Производитель: Vishay, IRFR120PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Крутизна характеристики, S 4.2
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

МОП-транзистор N-Chan 100V 7.7 Amp

IRFR1018ETRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал 60В 56А [D-PAK]
IRFR1018ETRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал 60В 56А [D-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRFR1018ETRPBF

IRFR1010ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 91А [D-Pak]
IRFR1010ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 91А [D-Pak]
Производитель: Infineon Technologies, IRFR1010ZTRPBF

IRFR024NTRPBF, Транзистор N-канал 55В 17А [D-PAK]
IRFR024NTRPBF, Транзистор N-канал 55В 17А [D-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRFR024NTRPBF

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17…

IRFR024NPBF, Транзистор N-канал 55В 17А [D-PAK]
IRFR024NPBF, Транзистор N-канал 55В 17А [D-PAK]
Производитель: International Rectifier, IRFR024NPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.075 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Крутизна характеристики, S 4.5
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

IRFR024PBF (IRFR024TRPBF), Транзистор, N-канал 60В 14А [D-PAK]
IRFR024PBF (IRFR024TRPBF), Транзистор, N-канал 60В 14А [D-PAK]
Производитель: Vishay, IRFR024PBF (IRFR024TRPBF)
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 42
Крутизна характеристики, S 6.2
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)

МОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор D-PAK

IRFPS43N50KPBF, Транзистор, N-канал 500В 43А [Super-247]
IRFPS43N50KPBF, Транзистор, N-канал 500В 43А [Super-247]
Производитель: Vishay, IRFPS43N50KPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 47
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09 Ом/28А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 540
Крутизна характеристики, S 23
Корпус super-247

N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor

IRFPS40N50LPBF, МОП-транзистор N-Chan 500V 46
IRFPS40N50LPBF, МОП-транзистор N-Chan 500V 46
Производитель: Vishay, IRFPS40N50LPBF