Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	105
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.015 Ом/63А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	441
Крутизна характеристики, S	47
Корпус	super-247

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	170
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.009 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	580
Крутизна характеристики, S	52
Корпус	super-247

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	36
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.13 Ом/22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	440
Крутизна характеристики, S	20
Корпус	super-247

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	2 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	190
Крутизна характеристики, S	5.4
Корпус	to-247ac

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.6 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	190
Крутизна характеристики, S	4.9
Корпус	to-247ac

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	2.5 Ом/2.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	150
Крутизна характеристики, S	2.5
Корпус	to-247ac

МОП-транзистор N-Chan 900V 4.7 Amp

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	7.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	1.2 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	190
Крутизна характеристики, S	5.6
Корпус	to-247ac

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	2 Ом/3.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	150
Крутизна характеристики, S	3
Корпус	to-247ac

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Сравнить

Корпус TO-247-3

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.4 Ом/9.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	280
Крутизна характеристики, S	13
Корпус	to-247ac

Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

Сравнить