IRL530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А, [TO-220AB]
![IRL530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А, [TO-220AB]](/file/p_img/1773474.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRL530NPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/9А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Крутизна характеристики, S | 7.7 |
| Корпус | TO-220AB |
IRL530NPBF - это одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор HEXFET® на 100 В с чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии на к…
IRL520NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [D2-PAK]
![IRL520NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 10А [D2-PAK]](/file/p_img/1773473.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRL520NSTRLPBF
IRL520NSPBF, Транзистор, N-канал 100В 10А, [D2-PAK]
![IRL520NSPBF, Транзистор, N-канал 100В 10А, [D2-PAK]](/file/p_img/1773472.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRL520NSPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Крутизна характеристики, S | 3.1 |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
IRL520NPBF, Транзистор N-CH 100V 10A [TO-220AB]
![IRL520NPBF, Транзистор N-CH 100V 10A [TO-220AB]](/file/p_img/1773471.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRL520NPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Крутизна характеристики, S | 3.1 |
| Корпус | TO-220AB |
IRL520NPBF - это одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор HEXFET® на 100 В с чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии на п…
IRL40S212, Транзистор MOSFET N-CH Si 40В 254А [D2PAK]
![IRL40S212, Транзистор MOSFET N-CH Si 40В 254А [D2PAK]](/file/p_img/1773470.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRL40S212
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0019 Ом/100А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 231 |
| Крутизна характеристики, S | 256 |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
IRL510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]
![IRL510PBF, Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]](/file/p_img/1773469.jpg)
Производитель: Vishay, IRL510PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 Ом/3.4А, 5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Крутизна характеристики, S | 1.9 |
| Корпус | TO-220AB |
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
IRL40B209, Транзистор MOSFET N-канал 40В 195А [TO-220]
![IRL40B209, Транзистор MOSFET N-канал 40В 195А [TO-220]](/file/p_img/1773468.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRL40B209
StrongIRFET ™ Power MOSFET логического уровня, Infineon Расширение семейства Infineon StrongIRFET, оптимизированное для упра…
IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]
![IRL3803PBF, Транзистор N-канал 30В 120А [TO-220AB]](/file/p_img/1773467.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRL3803PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 140 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.006 Ом/71А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Крутизна характеристики, S | 55 |
| Корпус | TO-220AB |
MOSFET, N, 30V, 120A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 120A Resistance, Rds On 0.006ohm Vol…
IRL3715ZSPBF, Nкан 20В 50А D2Pak
Производитель: International Rectifier, IRL3715ZSPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом/15А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Крутизна характеристики, S | 31 |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) |
IRL3715ZPBF, Транзистор, N-канал 20В 50А [TO-220AB]
![IRL3715ZPBF, Транзистор, N-канал 20В 50А [TO-220AB]](/file/p_img/1773465.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRL3715ZPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом/15А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Крутизна характеристики, S | 31 |
| Корпус | TO-220AB |