Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	195
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0024 Ом/165А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	380
Крутизна характеристики, S	340
Корпус	TO-220AB

MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразова…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	195
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0017 Ом/195А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	375
Крутизна характеристики, S	286
Корпус	TO-220AB

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	105
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.006 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	110
Крутизна характеристики, S	86
Корпус	TO-220AB

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.18 Ом/10А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Крутизна характеристики, S	16
Корпус	TO-220AB

Сравнить

Структура	2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0179 Ом/8.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	30
Корпус	soic-8

SOIC 8/DUAL MOSFET, 30V, 8.1A, 18MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0146 Ом/9.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	38
Корпус	soic-8

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тра…

Сравнить

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тр…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	36
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.044 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	140
Крутизна характеристики, S	14
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)

Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

Сравнить

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.044 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	110
Крутизна характеристики, S	12
Корпус	TO-220AB

IRL540NPBF - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии на площадь кремния…

Сравнить

МОП-транзистор PLANAR >= 100V

Сравнить