IRLHM630TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 21А [PQFN-8 (3.3 x 3.3 мм)]
![IRLHM630TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 21А [PQFN-8 (3.3 x 3.3 мм)]](/file/p_img/1773494.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRLHM630TRPBF
IRLHM620TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 40А [PQFN-3.3x3.3]
![IRLHM620TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 40А [PQFN-3.3x3.3]](/file/p_img/1773493.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRLHM620TRPBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0025 Ом/20А, 4.5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37 |
| Крутизна характеристики, S | 58 |
| Корпус | PQFN-8(3.3X3.3) |
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Inf…
IRLH6224PBF, N-кан 20В 50А PQFN5x6
Производитель: International Rectifier, IRLH6224PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52 |
| Крутизна характеристики, S | 150 |
| Корпус | PQFN-8(5X6) |
IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А, [HD-1]
![IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А, [HD-1]](/file/p_img/1773491.jpg)
Производитель: Vishay, IRLD110PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 Ом/0.6А, 5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 1.3 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
IRLD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.5А, [HD-1]
![IRLD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.5А, [HD-1]](/file/p_img/1773490.jpg)
Производитель: Vishay, IRLD024PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/1.5А, 5В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Крутизна характеристики, S | 7.3 |
| Корпус | HVMDIP-4 |
• Динамический рейтинг dV / dt • Рейтинг повторяющихся лавин • Рабочая температура 175 ° C • Простота параллельного подключения
IRLBA3803P, Nкан 30В 179А Super220
Производитель: International Rectifier, IRLBA3803P
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 179 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.005 Ом/71А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 270 |
| Крутизна характеристики, S | 55 |
| Корпус | Super-220 |
IRLB8743PBF, Транзистор, N-канал 30В 150А [TO-220AB]
![IRLB8743PBF, Транзистор, N-канал 30В 150А [TO-220AB]](/file/p_img/1773488.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRLB8743PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 150 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0032 Ом/40А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Крутизна характеристики, S | 190 |
| Корпус | TO-220AB |
Benchmark (эталонные в своем классе) MOSFET-транзисторы International Rectifierc с напряжением 30 В с ультранизким значением заряда затвора (Qg)…
IRLB4132PBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 78А [TO-220AB]
![IRLB4132PBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 78А [TO-220AB]](/file/p_img/1773487.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRLB4132PBF
N-канал 30V 78A (Tc) 140W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
IRLB4030PBF, Транзистор N-канал 100В 180А [TO-220AB]
![IRLB4030PBF, Транзистор N-канал 100В 180А [TO-220AB]](/file/p_img/1773486.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRLB4030PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 180 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0043 Ом/110А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 370 |
| Корпус | TO-220AB |
MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразова…
IRLB3813PBF, Транзистор, N-канал 30В 260A, [TO-220AB]
![IRLB3813PBF, Транзистор, N-канал 30В 260A, [TO-220AB]](/file/p_img/1773485.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRLB3813PBF
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 260 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00195 Ом/60А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 |
| Крутизна характеристики, S | 140 |
| Корпус | TO-220AB |
Benchmark (эталонные в своем классе) MOSFET-транзисторы International Rectifierc с напряжением 30 В с ультранизким значением заряда затвора (Qg)…