ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRL40B209, Транзистор MOSFET N-канал 40В 195А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
International Rectifier
IRL40B209, Транзистор MOSFET N-канал 40В 195А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRL40B209, Транзистор MOSFET N-канал 40В 195А [TO-220]
Последняя цена
620 руб.
Сравнить
Описание
StrongIRFET ™ Power MOSFET логического уровня, Infineon
Расширение семейства Infineon StrongIRFET, оптимизированное для управления затвором логического уровня 5 В. Они обладают теми же характеристиками, что и существующее семейство StrongIRFET, такими как низкий R DS (вкл.) Для большей эффективности и высокая допустимая нагрузка по току для повышения прочности и эксплуатационной надежности.
Информация
Производитель
International Rectifier
Артикул
IRL40B209
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773468
Технические параметры
Вес, г
2.903
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
TO-220
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Brand
Infineon
Series
StrongIRFET
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
91 nC
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
254 A
Maximum Power Dissipation
231 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.83mm
Height
16.51mm
Maximum Drain Source Resistance
2.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.2V
Техническая документация
irl40b209 , pdf
, 541 КБ
Datasheet IRL40B209 , pdf
, 546 КБ