ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRL40S212, Транзистор MOSFET N-CH Si 40В 254А [D2PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRL40S212, Транзистор MOSFET N-CH Si 40В 254А [D2PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRL40S212, Транзистор MOSFET N-CH Si 40В 254А [D2PAK]
Последняя цена
350 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRL40S212
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773470
Технические параметры
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
195
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0019 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
231
Крутизна характеристики, S
256
Корпус
D2PAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
Infineon-IRL40S212-DS-v01_00-EN , pdf
, 619 КБ