Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRL2505STRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 104А [D2-PAK]
IRL2505STRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 104А [D2-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRL2505STRLPBF

D2PAK/55V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A D2-PAK PACKAGE Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исто…

IRL2505PBF, Транзистор, N-канал 55В 104А [TO-220AB]
IRL2505PBF, Транзистор, N-канал 55В 104А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRL2505PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 104
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 Ом/54А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 59
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, 55V, 104A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 104A Resistance, Rds On 0.008ohm Vol…

IRL2203NPBF, Транзистор, N-канал 30В 116А [TO-220AB]
IRL2203NPBF, Транзистор, N-канал 30В 116А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRL2203NPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 116
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.007 Ом/60А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 180
Крутизна характеристики, S 73
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, 30V, 100A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 100A Resistance, Rds On 0.007ohm Vol…

IRL1404ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 40В 75А [D2-PAK]
IRL1404ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 40В 75А [D2-PAK]
Производитель: Infineon Technologies, IRL1404ZSTRLPBF

IRL1404ZPBF, Транзистор, N-канал 40В 200А [TO-220AB]
IRL1404ZPBF, Транзистор, N-канал 40В 200А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRL1404ZPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 200
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0031 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 230
Крутизна характеристики, S 120
Корпус TO-220AB

MOSFET, N, 40V, 200A, TO-220; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 40V; Current, Id Cont: 200A; Resistance, Rds On: 0.…

IRL1404PBF, Транзистор, N-канал 40В 160А [TO-220AB]
IRL1404PBF, Транзистор, N-канал 40В 160А [TO-220AB]
Производитель: International Rectifier, IRL1404PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 160
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.004 Ом/95А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 93
Корпус TO-220AB

IRL1104PBF, Транзистор, N-канал 40в 104А [ТО-220АВ]
IRL1104PBF, Транзистор, N-канал 40в 104А [ТО-220АВ]
Производитель: International Rectifier, IRL1104PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 104
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 Ом/62А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 167
Крутизна характеристики, S 53
Корпус TO-220AB

IRL1004PBF, Транзистор, N-канал 40В 130А [TO-220AB]
IRL1004PBF, Транзистор, N-канал 40В 130А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies, IRL1004PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 130
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0065 Ом/78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 63
Корпус TO-220AB

• Привод логического уровня • Передовые технологические процессы • Динамический рейтинг dV / dt • Полностью лавинный рейтинг …

IRGB4060DPBF, IGBT 600В 16А TO220AB
IRGB4060DPBF, IGBT 600В 16А TO220AB
Производитель: International Rectifier, IRGB4060DPBF
Структура n-канал+диод
Крутизна характеристики, S 5.6
Корпус TO-220AB

IRG7SC12FPBF, IGBT 600В 24А 1-8кГц D2Pak
IRG7SC12FPBF, IGBT 600В 24А 1-8кГц D2Pak
Производитель: International Rectifier, IRG7SC12FPBF
Структура n-канал
Крутизна характеристики, S 6.2
Корпус d2-pak