IRL540NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 36А [D2-PAK], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 53 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRL540NSTRLPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1773478

Технические параметры

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Transistor Material

Length

10.67mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

74 nC @ 5 V

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

36 A

Maximum Power Dissipation

140 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

11.3mm

Height

4.83mm

Maximum Drain Source Resistance

63 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Forward Transconductance

14s

Dimensions

10.67 x 11.3 x 4.83mm

Typical Turn-On Delay Time

11 ns

Typical Turn-Off Delay Time

39 ns

Техническая документация

IRL540NSPBF Datasheet , pdf , 915 КБ
irl540nspbf , pdf , 914 КБ
Datasheet IRL540NSTRLPBF , pdf , 916 КБ

IRL540NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 36А [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 53 руб.

Техническая документация