Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

IRLML0100TRPBF, Транзистор, N-канал 100В 1.6А [Micro3 / SOT-23]
IRLML0100TRPBF, Транзистор, N-канал 100В 1.6А [Micro3 / SOT-23]
Производитель: Infineon Technologies, IRLML0100TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.22 Ом/1.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 5.7
Корпус Micro-3/SOT-23-3

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми тр…

IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А, [Micro3 / SOT-23]
IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А, [Micro3 / SOT-23]
Производитель: Infineon Technologies, IRLML0060TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.092 Ом/2.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.25
Корпус Micro-3/SOT-23-3

Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопроти…

IRLML0040TRPBF, Транзистор, N-канал 40В 3.6А, [Micro3 / SOT-23]
IRLML0040TRPBF, Транзистор, N-канал 40В 3.6А, [Micro3 / SOT-23]
Производитель: Infineon Technologies, IRLML0040TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.056 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 6.2
Корпус Micro-3/SOT-23-3

Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопроти…

IRLML0030TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 5.3А, [SOT-23]
IRLML0030TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 5.3А, [SOT-23]
Производитель: Infineon Technologies, IRLML0030TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.027 Ом/5.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 9.5
Корпус Micro-3/SOT-23-3

Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопроти…

IRLL3303PBF, Nкан 30В 4.6А SOT223, транзистор
IRLL3303PBF, Nкан 30В 4.6А SOT223, транзистор
Производитель: International Rectifier, IRLL3303PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.031 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.1
Крутизна характеристики, S 5.5
Корпус SOT-223

IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT-223]
IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, IRLL2705TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.04 Ом/3.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.1
Крутизна характеристики, S 5.1
Корпус SOT-223

Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса…

IRLL2705PBF, Транзистор, N-канал 55В 3.8А [SOT-223]
IRLL2705PBF, Транзистор, N-канал 55В 3.8А [SOT-223]
Производитель: International Rectifier, IRLL2705PBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.04 Ом/3.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.1
Крутизна характеристики, S 5.1
Корпус SOT-223

IRLL110TRPBF, Транзистор, N-канал 100В 1.5А logic [SOT-223]
IRLL110TRPBF, Транзистор, N-канал 100В 1.5А logic [SOT-223]
Производитель: Vishay, IRLL110TRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.54 Ом/0.9А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3.1
Крутизна характеристики, S 0.57
Корпус SOT-223

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

IRLL024ZTRPBF, Транзистор, MOSFET N-CH Si 55V 5A Automotive [SOT-223]
IRLL024ZTRPBF, Транзистор, MOSFET N-CH Si 55V 5A Automotive [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, IRLL024ZTRPBF
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Крутизна характеристики, S 7.5
Корпус SOT-223

Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…

IRLL024NTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 3.1А logic [SOT-223]
IRLL024NTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 3.1А logic [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, IRLL024NTRPBF

IRLL024NTRPBF - это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N-каналом, в котором используются передовые технологии обработки для…