ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRL6342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 9.9А [SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRL6342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 9.9А [SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRL6342TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 9.9А [SO-8]
Последняя цена
46 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRL6342TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1773479
Технические параметры
Вес, г
0.15
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
9.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0146 Ом/9.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
2.5
Крутизна характеристики, S
38
Корпус
soic-8
Пороговое напряжение на затворе
0.5…1.1
Техническая документация
IRL6342PBF datasheet , pdf
, 268 КБ