EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

КП103И1, Транзистор, Р-канал, малой мощности [TO-92 / КТ-26]
КП103И1, Транзистор, Р-канал, малой мощности [TO-92 / КТ-26]
Производитель: Россия, КП103И1
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.021
Крутизна характеристики, S 0.8…2.6
Корпус kt-26

КП103И, Транзистор, Р-канал, малой мощности [КТ-17]
КП103И, Транзистор, Р-канал, малой мощности [КТ-17]
Производитель: Россия, КП103И
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.021
Крутизна характеристики, S 0.8…2.6
Корпус kt-17

КП103Е1, Транзистор, Р-канал, малой мощности [TO-92 / КТ-26]
КП103Е1, Транзистор, Р-канал, малой мощности [TO-92 / КТ-26]
Производитель: Россия, КП103Е1
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.007
Крутизна характеристики, S 0.4…2.4
Корпус kt-26

JCS4N65FB-220MF, Транзистор N-MOSFET [TO-220MF]
JCS4N65FB-220MF, Транзистор N-MOSFET [TO-220MF]
Производитель: Jilin Sino-Microelectronics, JCS4N65FB-220MF

IXTY01N100D, Транзистор, MOSFET, N-канал, 1000В, 80Ом [TO-252]
IXTY01N100D, Транзистор, MOSFET, N-канал, 1000В, 80Ом [TO-252]
Производитель: Ixys Corporation, IXTY01N100D

МОП-транзистор МОП-транзистор N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25

IXTX5N250, Транзистор, MOSFET, N-канал, 2500В, 5А, 8.8Ом [PLUS-247]
IXTX5N250, Транзистор, MOSFET, N-канал, 2500В, 5А, 8.8Ом [PLUS-247]
Производитель: Ixys Corporation, IXTX5N250
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 2500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 8.8 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 960
Крутизна характеристики, S 4.5
Корпус plus-247

МОП-транзистор 2500V 5A HV Power МОП-транзистор

IXTR102N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 54А, 33мОм [ISOPLUS-247]
IXTR102N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 54А, 33мОм [ISOPLUS-247]
Производитель: Ixys Corporation, IXTR102N65X2

МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]
IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]
Производитель: Ixys Corporation, IXTQ50N25T
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 400
Крутизна характеристики, S 58
Корпус to-3p

16-BIT 1MSPS LOWER POWER ADC IC Корпус TO3P, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 2…

IXTQ36P15P, Транзистор P-MOSFET 150В 36А [TO-3P]
IXTQ36P15P, Транзистор P-MOSFET 150В 36А [TO-3P]
Производитель: Littelfuse, IXTQ36P15P

IXTP50N20PM, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 200В, 50А, 60мОм [TO-220fp]
IXTP50N20PM, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 200В, 50А, 60мОм [TO-220fp]
Производитель: Ixys Corporation, IXTP50N20PM
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 90
Крутизна характеристики, S 23
Корпус to-220fp