EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

IXTP4N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 4A [TO-220]
IXTP4N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 4A [TO-220]
Производитель: Ixys Corporation, IXTP4N65X2

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS X2 Серия силовых МОП-транзисторов IXYS X2 предлагает значительно меньшее сопр…

IXTP10P50P, Транзистор, TrenchP MOSFET, P-канал, -500В, -10А, 1Ом [TO-220]
IXTP10P50P, Транзистор, TrenchP MOSFET, P-канал, -500В, -10А, 1Ом [TO-220]
Производитель: Ixys Corporation, IXTP10P50P

IXTN210P10T, Транзистор, TrenchP MOSFET, P-канал, -100В, -210А, 7.5мОм [SOT-227B (minibloc)]
IXTN210P10T, Транзистор, TrenchP MOSFET, P-канал, -100В, -210А, 7.5мОм [SOT-227B (minibloc)]
Производитель: Ixys Corporation, IXTN210P10T

IXTK90N25L2, Транзистор, LinearL2 MOSFET, N-канал, 250В, 90А, 36мОм [TO-264]
IXTK90N25L2, Транзистор, LinearL2 MOSFET, N-канал, 250В, 90А, 36мОм [TO-264]
Производитель: Ixys Corporation, IXTK90N25L2

N-канал 250V 90A (Tc) 960W (Tc) сквозное отверстие TO-264 (IXTK)

IXTK120N25P, Транзистор Power MOSFET [TO-264]
IXTK120N25P, Транзистор Power MOSFET [TO-264]
Производитель: Ixys Corporation, IXTK120N25P
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.024 Ом/60А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 700
Крутизна характеристики, S 70
Корпус TO-264

• Пакеты международного стандарта • Устойчивость к лавинам • Низкая индуктивность корпуса • Простота установки • Экономия ме…

IXTH62N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 62А, 50мОм [TO-247]
IXTH62N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 62А, 50мОм [TO-247]
Производитель: Ixys Corporation, IXTH62N65X2

МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

IXTH48N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 48А, 65мОм [TO-247]
IXTH48N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 48А, 65мОм [TO-247]
Производитель: Ixys Corporation, IXTH48N65X2

IXTA06N120P, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 1200В, 0.6А, 34Ом [TO-263AA]
IXTA06N120P, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 1200В, 0.6А, 34Ом [TO-263AA]
Производитель: Ixys Corporation, IXTA06N120P
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 32 Ом/0.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 42
Крутизна характеристики, S 0.45
Корпус TO-263AA

N-канал 1200 В 600 мА (Tc) 42 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TO-263 (IXTA)

IXFX94N50P2, Транзистор, Polar2 HiperFET, N-канал, 500В, 94А, 55мОм [PLUS247]
IXFX94N50P2, Транзистор, Polar2 HiperFET, N-канал, 500В, 94А, 55мОм [PLUS247]
Производитель: Ixys Corporation, IXFX94N50P2
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 94
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.055 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1300
Крутизна характеристики, S 75
Корпус plus-247

МОП-транзистор PolarP2 Power МОП-транзистор

IXFX240N25X3, Транзистор, X3-Class HiperFET, N-канал, 250В, 240А, 5мОм [PLUS247]
IXFX240N25X3, Транзистор, X3-Class HiperFET, N-канал, 250В, 240А, 5мОм [PLUS247]
Производитель: Ixys Corporation, IXFX240N25X3

N-Channel 250V 240A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247в„ў-3