MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6 руб.

Сравнить

Описание

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 500 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 5 Ом

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MMBF170LT1G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1783145

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.05

Максимальный непрерывный ток стока

500 мА

Максимальное рассеяние мощности

225 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3мм

Высота

0.94мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

2.9мм

Типичное время задержки выключения

10 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.94мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

ON Semiconductor

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичная входная емкость при Vds

60 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

MMBF170LT1 , pdf , 122 КБ
Datasheet MMBF170LT1G , pdf , 187 КБ
Datasheet MMBF170LT1G , pdf , 132 КБ
Datasheet MMBF170LT1G , pdf , 121 КБ

MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 6 руб.

Техническая документация